| 型 式 |
外 観 |
特 徴 |
仕 様 |
サーマル
CVD装置
CT-5500 |
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＜多目的半導体膜用CVD＞
ポリSi(第1炉)、SiO、PSG、BSG(第2炉)、Si3N4(第3炉)をコーティングできます。
各炉は、それぞれ独立したCVD炉なので、異質物の混入がありません。
1台で3台分の働きをする小ロット生産用CVDです。 |
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サーマル
CVD装置
CT-6000 |
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＜超高温材料研究用サーマルCVD＞
炭化ケイ素(SiC)に代表される超高温材料は、その生成温度と濃度によって様々な結晶構造をとります。
CT-6000はこれらの未来材料の研究をするために、制御圧力範囲を6.65～101KPa、制御温度範囲を800～2000℃と幅広く条件を取れるようになっています。 |
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プラズマ
CVD装置
CP-1700 |
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＜実験用プラズマCVD＞
縦型石英管の外周に置かれたコイルによって発生したプラズマ中を、ヒーターを内蔵した基板ホルダーを上下することができます。
これによって、ダウンフローによるプラズマCVDの実験もできます。また基板には、DCバイアスをかけることができます。 |
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プラズマ
CVD装置
CP-1900 |
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＜平行平板型プラズマCVD＞
ステンレスチャンバー内に置かれた基板に発生したプラズマにより、成膜します。
上部電極は、ガスシャワーが装着されており下部の基板ホルダーには、ヒーターが埋め込まれています。またコンパクトに出来ていますので、小さな実験室でも設置することが出来ます。 |
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MOCVD装置
CM-8000 |
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＜MOCVD＞
上部はガスシャワーになっており、RFプラズマを印加する事ができます。また下部は800℃に加熱しながら回転できる基板ホルダーが取り付けられております。
フレキシブルな実験ができるMOCVD装置です。 |
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レーザー
CVD装置
CL-12000 |
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＜レーザーCVD＞
高出力エキシマレーザーを使って、ヒーターの埋め込まれた100mm角の基板ホルダー上に成膜するレーザーCVD装置です。
基板は、X-Yに連動して動かすことが出来ます。 |
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マイクロ波
CVD装置
SDM-2 |
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マイクロ波CVDによるダイヤモンド薄膜の試験製造装置。
シリコンウエハ上に直径10mm程度、厚み10μ以上のダイヤモンド膜を成膜できます。 |
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