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【おすすめコンテンツ】真空蒸着装置/スパッタ装置/CVD装置/真空脱ガス炉/真空焼結炉/真空溶解炉/各種装置


型 式 外 観 特 徴 仕 様
半導体結晶表面
改質装置
CSR-2400
半導体液晶表面改質装置CSR-2400  本装置はAr中で2400℃まで加熱でき、半導体結晶表面改質後、装備のRHEED電子銃にて表面構造をその場観察することを目的としています。またガス種を付属することでSiC液相エピタキシャルや高温熱処理炉としても使用できます。 詳細仕様
真空脱泡装置 真空脱泡装置  本装置は真空下で粘性のある液体を攪拌することにより、被液体に含有されている空気や水分を除去することが出来る装置です。
 本体外壁には冷却水ジャケットが付属しており、溶液の冷却に使用できます。
 加熱機構も標準装備されておりますので、加温も可能です。また圧空導入口が装備されていますので、お手持ちのコンプレッサー等に接続することで、粘性のある液体を別容器に重鎮することが出来ます。
詳細仕様
真空注液装置 真空注液装置  本装置はセルの真空乾燥および電解液の注入装置です。
 最大300mm□サイズまで処理可能です。又加熱による真空乾燥、不活性ガス導入等での加圧下においても注液を行なうことが出来ます。
 本装置のディスペンサーは可変できる一定圧のパルスエアにより、シリンジからの液体の吐出を制御します。
 パルスエアのパルスON-OFF間隔、ON-OFFを繰返し継続する時間の設定をすることが出来ます。
詳細仕様
高電圧・高真空
エージング装置
高電圧高真空エージング装置  本装置は電界電子放出型エックス線管(FE型X線管と表す)の製造プロセスにおいて、高性能なFE型X線管を製造するためのエージング処理に使用いたします。
 特徴としては、X線管の内部と外部(真空槽内)を各々独立に×10-6Pa以下の圧力に排気。
 特に高真空に保たれた真空槽内は、X線管沿面放電を起こさないことを保証いたします。
 陰極と陽極(ターゲット)間に高電圧200kVの印加が可能となり、ベーキング最高温度350℃で安定なエージングが行えます。
 又、エージング状態を目視確認できます。
詳細仕様
高真空制御
ロウ付炉
高真空制御ロウ付炉  本装置はメタル・セラミックス型X線管及び電子管を真空中で“ロウ付け溶接”することを目的とした装置です。
  金属―セラミックスの強固な接合を得るために、両物質間の拡散反応を促進する温度プログラム、加重プログラム及び真空度プログラムを有しており、これらを独立及び連携して本ロウ付け炉を運転する制御システム及び機器を装備しております。
  特徴としては、真空容器内を高温度・高真空に維持して残留ガスの低減を実現しています。
 扉開閉時に生じるチャンバー内の結露の防止や真空排気時のベーキング効果を上げるために温水循環ポンプを装備。
 又、ロウ付け時の目視確認ができます。
詳細仕様
外熱式真空
ロウ付炉
外熱式真空ロウ付炉  本装置は電極とアルミナ管を銀ロウ付けし、一定圧にてガスを封入するための装置です。
 炉心管は石英管を採用。ヒーターは最高1000℃迄昇温可能。4ゾーンヒーターで均熱精度を高めております。
 ヒーター制御用のプロコンを標準装備しており、排気系統はもちろんのこと、加熱系も自動にて操作可能です。
 サンプルからの放出ガスに配慮し、ワンランク上の排気系統を採用。排気時間も気になりません。
詳細仕様
PIA-DLC
成膜装置
 本装置はPIAD方式によるDLC成膜装置です。主に導電DLC膜、ナノダイヤDLC膜用です。
成膜工程を全て自動化しており、予めガス流量や圧力、工程時間を設定することにより自動運転いたします。圧力はAPC制御となっておりますので一定圧の成膜環境を実現できます。
お問合わせ
レップ式
金属粉末
製造装置
 本装置は高品質金属粉末を製造するための各種の方法の中で、回転電極法(Rotating Electrode Process)、通称レップ式を用いて金属粉末を製造する装置です。
 レップ式は、回転する電極が、高温プラズマによって溶解され、液滴として電極表面から、遠心力によって吹き飛ばされ、空間を経て冷やされて微粉化することにより金属粉末を製造する方法です。
 チャンバー本体、粉末の酸化を防止するための置換用真空排気装置、電極回転機構、アーク溶解機構、チャンバー内圧調整機構、制御操作盤等から構成されております。
詳細仕様
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