| 超低角高速イオンミリング装置 |
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| ＜装置概観画像＞＜装置上部画像＞ |
＜概 要＞
本装置は、透過電子顕微鏡(TEM)の薄膜試料形成、
走査電子顕微鏡(SEM)、各種分析用の斜め研磨試料作成装置で、
数々のユニークな機能を標準搭載した画期的なシステムです。 |
＜特 徴＞
非常に低い入射角度においても、実用的なミリング速度を得るために新規開発された、
TELETWINイオン源、各種アジャスタブル機構、試料ホルダー等の採用により、
これまでにない高度な仕上がりや大幅な時間短縮等、
ミリング手法に欠かせぬ機能を標準搭載し、しかも低価格な点にあります。
また、これまで熟練を要した断面TEM等の試料前処理も、
少ない装備や労力で合理的且つ短時間で仕上げます。
○電流密度の高い細く絞れた安定した高出力イオンビームと、
特殊ホルダー(片面・両面)で低角(常用３°～５°)入射により、
①凹凸が発生しにくく、良質で平滑な表面が得られます。
②観察可能な領域が広範囲に得られます。
③異種材料から構成される複合材料や多層膜に適しています。
④試料への熱影響が極めて少ない事です。
○独立水冷方式による静電、電子振動型TELETWINイオン源は驚異的なミリングレート
①「ノーマルアノード」Si(3°～5°):～16μm/h Si(25°～35°):～120μm/h
②「ハイスピードアノード」Si(3°～5°):～24μm/h Si(25°～35°):～180μm/h
○試料の中心に限らず任意の個所を選択ミリング
２個のイオン源と試料ホルダーは、それぞれ独自のマニュピレーターとアジャスタブル機構に
搭載されており、任意の個所の位置調節は簡単に行えます。
○TELETWINイオン源は、長時間安定したビーム供給と容易なメンテナンス、
特筆すべき原理構造からなり、
①出射カソード等ミリング中のスパッタによるイオン源内部での飛散物のほとんどが、
構成されたカソードシリンダー内壁に集積され高圧用絶縁セラミックス等への汚染は僅かです。
②カソード及びカソードシリンダー、アノード等イオン源本体を取り外す事なく交換(チェック)が
容易で調整も簡単に行えます。
○振動(往復)運動
異種材料からなる多層膜やヘテロ構造を持つ試料等断面TEMには最も有効な手段で、
欠く事のできないミリング手法を装備しています。
また、振動角・振動数のコントロールも簡単に行えます。
○リターディング
試料ホルダー側にMAX3.5Kvまでの電圧印加が可能で、
種々のイオンビームに対して選択効率の良い減速電場が得られ、
クリーニングや低速運転他、ミリングの新たな手法が加わりました。 |
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○オプティカルターミネーター
ミリング中に空いた穴を通過する光の検出で高(低)電圧を停止させます。
○これまでの機能をワンタッチ操作によるコンパクトな高性能電源
①イオン源用 HV1&2:3～10Kv/2～5mA/イオンカレント
②試料ホルダー用 HV3:～3.5Kv/1mA/イオンカレント
③試料ホルダー回転/振動:回転数、振動角、振動数
④オプティカルターミネーター/透過照明
⑤オーバーヒート安全回路
⑥高圧安全回路
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